氮化镓作为第三代半导体材料，是5G时代的最大受益者之一，小米等不少品牌都推出了氮化镓充电器。有机构预测，2020将会是氮化镓充电器爆发年。近日海特高新(002023)因全球发布5G宏基站氮化镓芯片制造解决方案，引来机构密集调研，而星徽精密(300464)也与小米一同入股世界上第一家氮化镓功率IC公司纳微半导体，不仅可以借此获得大量订单，还可以增强在充电芯片领域的先进技术储备，巩固旗下品牌在全球消费电子产品配件领域的领导地位。
2020年2月13日，小米通过线上直播的形式，面向百万观众，正式发布了小米10Pro系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器成为一大重要亮点。
小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC。GaNFast功率IC使用氮化镓(GaN)，这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对小米10 Pro 进行0至100%的充电。使用GaNFast技术，小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc)，是标准适配器尺寸的一半。
世界级的巨头，如德州仪器，恩智浦，台积电，都有在氮化镓芯片上有大投入。Navitas的Navitas GaNFast™ 电源IC可以为移动、消费、企业和新能源市场提供体积更小、能效更高、成本更低的电源。
GaN将以其功率水平和高频性能成为 5G 的关键技术。5G将带来半导体材料革命性的变化，因为对5G的严格要求不仅体现在宏观上带来基站密度致密化，还要求在器件级别上实现功率密度的增强。特别是随着通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的射频器件。虽然许多其它化合物半导体和工艺也将在5G发展中发挥重要作用，但GaN 的优势将逐步凸显。
中信证券近日发布研报表示，目前国内已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，2025年全球GaN快充市场规模有望600多亿元，同时加速GaN芯片在其他新兴领域对Si基产品的替代。
预计到2025年，GaN将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。
有机构表示，半导体第三代材料GaN氮化镓应用将带来三方面的受益机会：一是5G,未来全行业上下游都可能采用这一新材料；二是射频，由于5G对射频功率、耗能要求的提升，5G射频领域将逐渐用氮化镓取代硅基材料；三是快充产业链条供应商。
其中最常见的一个应用场景，莫过于是充电类/移动电源产品。这个市场，单单是安克创新2018年来自充电类产品的收入就多达33.21亿，几乎所有知名跨境电商大卖家如傲基、泽宝等，都有配置充电类产品线。
而泽宝正是星徽精密(300464)的全资子公司深圳市泽宝创新技术有限公司，出资682万元取得美国纳微半导体公司(NavitasSemiconductor,Inc,)0.07%的股权。
纳微半导体不仅成功助力小米65W氮化镓充电器上市，而且还获得了小米的投资。通过资金注入，确立产业链上下游合作，同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作，纳微半导体也得以拓宽销售渠道，成为氮化镓快充行业的最大赢家。纳微半导体除了进入小米快充供应链之外，还与Anker、AUKEY、Belkin、倍思、紫米、HYPER JUICE、Ravpower、SlimiQ等全球多家知名3C配件企业建立了良好的合作关系，并联合开发出了数十款氮化镓快充产品。
虽然只是小股东，但泽宝借此获得大量订单，同时也布局全球尖端技术，进行在充电芯片领域的先进技术储备，有助于星徽精密巩固旗下品牌在全球消费电子产品配件领域的领导地位，从品牌和技术研发两端同时发力，做更长远的布局。
在其它领域，也有上市公司打造了核心优势，如海特高新，其子公司海威华芯在中国率先提供六英吋砷化镓(GaAs)集成电路的纯晶圆代工(Foundry)服务；在第三代半导体(氮化镓GaN)领域拥有国际领先、国内一流的技术；在全球氮化镓芯片专利技术属于一流梯队。国金证券认为，海特高新作为第三代半导体国际领先者，氮化镓芯片空间大。
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