特殊工艺采用逻辑兼容低工作电压的嵌入式闪存且具有待机泄漏电流低的特点
韩国首尔——2014年11月17日——东部高科今日宣布公司将增加采用嵌入式闪存(eFlash)的触摸屏控制器(TSC)芯片的批量生产，以满足智能手机中低端细分市场无生产线设计公司客户的需求。若要迅速成为业界优先选择的技术，低泄漏电流和高电源效率非常重要，韩国代工厂的0.13微米节点特殊嵌入式闪存工艺是实现高性能微控制器单元(MCU)芯片的理想之选。
东部高科营销执行副总裁Jae Song表示：“当前公司的目标是拓展与智能手机市场多个无生产线设计公司客户的合作，预计本公司的嵌入式闪存工艺将得到有效利用，生产用于平板电脑的TSC芯片以及MCU单片。”他指出，本公司相对较新的嵌入式闪存工艺提供极高的数据保留率和抗干扰性能，这得益于公司在过去的十年里生产编码型(NOR)闪存芯片过程中积累的丰富经验。
嵌入式闪存设计优点
东部高科的先进嵌入式闪存工艺兼容低压逻辑电路，同时适用于内核和I/O，工作电压1.5V/3.3V（或可选8V/18V），并且具有待机泄漏电流低的特点，泄漏电流通常为1μA。各种嵌入式闪存Macro IP（免费提供）支持16、32、64、128和256KB的非易失性存储密度。凭借可减少测试时间的内置测试模式、稳定的macro IP以及可选铜线焊接，在芯片开发过程中进一步降低成本。
TSC和MCU市场机遇
据高德纳公司(Gartner)预测，中、低端手机市场（通常销售100美元至300美元的手机）将大幅增长，今年销量大约6.5亿台，预计2017年销量将突破9.2亿台，这意味着复合年增长率将超过12%。同时，iSuppli看到智能手机和平板电脑TSC芯片的市场机遇，TSC芯片市场预计2014年到2016年将保持相当稳定的销售额（约16亿美元），而MCU芯片市场销售额将从今年的160亿美元左右增长至2016年的180亿美元左右，复合年增长率约为6%。
关于东部高科
东部高科株式会社(Dongbu HiTek Co., Ltd.)专注于开发优质模拟与混合信号处理技术。该公司通过加工组合为高级集成电路(IC)带来高价值，该组合包括模拟CMOS、BCDMOS、高压CMOS、CMOS功率放大器(PA)、CMOS图像传感器(CIS)、显示驱动集成电路(DDI)、触摸屏控制器集成电路与嵌入式闪存(Embedded Flash)技术。东部高科借助同类最佳的BCDMOS技术，生产很多种电源管理芯片，包括家用与便携电子设备、汽车及工业系统的芯片。该公司目前可提供0.35微米到90纳米的芯片代工工艺，其顶级代工能力与一流的设计支持、原型验证和封装/模块开发能力相辅相成。东部高科总部位于韩国首尔，在韩国证券交易所(Korea Stock Exchange)公开上市（股票代码：000990）。如需了解更多信息，请访问www.dongbuhitek.com。
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