– π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音优点 –
东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。
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π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计，与现有的π-MOS VII系列相比，其EMI噪声峰值低5dB[1]，同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度，因此有助于减小设计工作量。此外，π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。
东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件，以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。
应用场合
- 笔记本电脑AC适配器和游戏机充电器的中小型开关电源
- 照明电源
特点
- 兼具高效率和低噪音优点
- 额定雪崩电流和额定直流电流相等
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主要规格 |
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产品型号 |
封装 |
绝对最大 额定值 |
RDS(ON) 最大值(Ω) VGS=10V |
Qg 典型值 (nC) |
Ciss 典型值 (pF) |
当前一代 （π-MOS VII系列） 产品型号 |
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VDSS (V) |
ID (A) |
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|
TK650A60F |
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
TK11A60D |
|||||||
|
TK750A60F |
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
TK10A60D |
|||||||
|
TK1K2A60F |
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
20.5 |
740 |
TK6A60D(1.25Ω) |
|||||||
|
TK1K9A60F |
TO-220SIS |
600 |
3.7 |
1.9 |
14 |
490 |
TK4A60DB(2.0Ω) |
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注：
[1] TK10A60D与TK750A60F相比较（200MHz地区的65W笔记本电脑适配器）
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东芝电子元件及存储装置株式会社：600V平面MOSFET新系列“π-MOS IX”（照片：美国商业资讯）
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