Nexperia 采用坚固封装的 AEC-Q101 Trench 9 MOSFET 能够节省空间、提供高性能和耐用性

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采用LFPAK56/56E 封装的超结 MOSFET 可将 RDS(on) 降低 30%, 世界上应用范围最广的、符合汽车行业标准的 Power-SO8 MOSFET 现在将应用得更为广泛

奈梅亨 (荷兰) — (美国商业资讯) — Nexperia(前恩智浦标准产品部门)今天宣布推出全新 Trench 9 (第 9 代沟槽)功率 MOSFET 系列,主要应用于汽车行业。该行业促使公司将其低压超结技术与先进的封装能力很好地相结合,并提高了器件高性能和耐用性。五年前,公司推出了世界上应用范围最广的、符合汽车行业标准的 Power-SO8 MOSFET。目前,Nexperia 正在扩大这一产品组合,包括超低 RDS(on) 的器件,以满足众多典型的汽车应用日益增长的高功率密度需求。全新第 9 代沟槽器件均符合 AEC-Q101 标准,并在关键可靠性测试(包括温度循环、高温栅偏压、高温反向偏压和间歇运行寿命)中超过了相应国际汽车标准的两倍。

新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文: http://www.businesswire.com/news/home/20170918006148/zh-CN/

LFPAK56E 是 Nexperia 汽车应用 LFPAK 封装系列产品中的最新创新产品。LFPAK56E 是受欢迎的 LFPAK56 封装的增强版本,具有优化的引线框架和封装设计,可使 RDS(on) 和功率密度提高 30%。功率密度的这一改良使得第 9 代沟槽 LFPAK56 MOSFET 可以用于以前只能使用 D2PAK 和 D2PAK-7 的应用中,能够显著地节省 PCB 空间。

此外,与竞争技术相比,Nexperia 的超结技术可提供更好的雪崩和 SOA(安全操作区域)功能,确保关键器件即使在故障条件下仍然能够生存。传统上,大多数供应商不太会推荐用于单次或重复雪崩应用的 TrenchMOS 技术。然而,第 9 代沟槽技术则专门设计来应对苛刻的应用和故障条件以提供卓越的单次和重复雪崩性能,而 Nexperia 的第 9 代沟槽 MOSFET 数据表与公司以前所有的 TrenchMOS 系列产品一样,包括单次和重复雪崩评级。

Nexperia 的汽车 MOSFET 产品营销经理 Norman Stapelberg 评论道:“为了促进自动驾驶,汽车制造商正在要求许多关键应用(如动力转向和制动)使用双重冗余电路。一级子系统供应商面临的挑战是将额外的电源组件添加到其模块中,而不增加整体 PCB 或模块尺寸。我们的第 9 代沟槽超结技术与我们的 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装能力的独特组合使 Nexperia 具有性能和可靠性优势,并且减少占用空间。这样,使客户能够添加双重冗余所需的附加器件,而不会显著增加总 PCB 面积。”

应用包括用于动力转向、传输控制、ABS、ESC、泵(水、油和燃料)、风扇转速控制、电池反接保护和 DC/DC 转换器的有刷和无刷电机控制。目前在样品阶段。

如需要了解更多信息,请访问 www.nexperia.com/automotivetrench9

Nexperia 简介

Nexperia 是全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件的专业制造商,其前身为恩智浦的标准产品部门,于 2017 年初开始独立运营。Nexperia 注重效率,生产稳定可靠的半导体元件,年产量高达850 亿颗,其很多产品系列符合汽车产业的严格标准。Nexperia 工厂生产的小型封装也是业内领先,不仅具有较高的功率与热效率,还是同类品质之最。

五十多年来,Nexperia 一直为全球各地的大型公司提供优质产品,并在亚洲、欧洲和美国拥有 11,000 名员工。该公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了 ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001 和 OHSAS18001 认证。

Nexperia:效率取胜。

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Nexperia 采用坚固封装的 AEC-Q101 Trench 9 MOSFET (Photo: Business Wire)

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