东芝存储器公司第四代BiCS FLASH层数增加，存储容量提高
东京–(美国商业资讯)–存储器解决方案全球领导者东芝存储器公司今日宣布，公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型样品，该产品采用三位元（三阶存储单元，TLC）技术。该96层新产品为256千兆比特(32GB)设备，其样品预计将于2017年下半年发布，批量生产计划于2018年启动。该新设备满足企业级和消费级SSD、智能手机、平板电脑和存储卡等应用的市场需求和性能规范。
未来，东芝存储器公司将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元（四阶存储单元，QLC）技术。
创新的96层层叠工艺结合了先进的电路和制造工艺技术，与64层层叠工艺相比，其每单元芯片尺寸存储容量增加约40%。该工艺降低了位存储价格并提高了每个硅晶片内存容量的可制造性。
自2007年宣布推出全球首款[2]3D闪存技术原型机以来，东芝存储器公司不断推动3D闪存的发展并积极推广BiCS FLASH™技术，以满足市场对更小裸芯片体积、更大容量闪存的需求。
该96层BiCS FLASH™将在四日市生产基地5号晶圆厂(Fab 5)、2号新晶圆厂(Fab 2)和将于2018夏季开业的6号晶圆厂(Fab 6)生产。
注：
1.一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存（存储单元位于硅基板上），其极大地提高了密度。
2.数据来源：东芝存储器公司，截至2007年6月12日。
* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。
原文版本可在businesswire.com上查阅：http://www.businesswire.com/news/home/20170627006606/en/
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