东芝推出采用最新一代工艺制造的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

-扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品阵容-

东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）为其采用最新一代工艺制造的“U-MOS X-H系列”增加了80V N沟道功率MOSFET。新推出的MOSFET适用于数据中心和通信基站中所用的工业设备的开关电源。

新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品即日起出货。

由于采用了最新一代工艺制造技术，比当前工艺U-MOS VIII-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。 通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性^[1]之间的平衡也得到了改善^[2]。因此，新产品可提供业界最低的功耗^[3]。

东芝正在扩展其降耗型产品系列，以助力降低设备功耗。

应用场合

• 开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
• 电机控制设备（电机驱动器等）

特性

• 业界最低^[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性^[2]之间的平衡）
• 业界最低 ^[3]导通电阻：     V_GS=10V (TPH2R40QM)时，R_DS(ON)=2.43mΩ（最大值）

  V_GS=10V (TPN19008QM)时， R_DS(ON)=19mΩ（最大值）

• 高额定通道温度：T_ch = 175℃

主要规格

注：

[1] 总栅极电荷（栅源+栅漏）、栅极开关电荷、输出电荷

[2] 与TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷约提高15%，漏源导通电阻 x 栅极开关电荷约提高10%，漏源导通电阻x输出电荷约提高31%。

[3] 截至2020年3月30日，东芝调研。

如需获取有关新产品的更多信息，请关注以下链接

TPH2R408QM

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM

TPN19008QM

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需获取有关东芝12-300V MOSFET系列的更多信息，请关注以下链接。

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

如需查看线上分销商处的新产品的供应信息，请访问：

TPH2R408QM

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html

TPN19008QM

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html

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客户垂询：

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来，公司已跻身领先的通用设备公司之列，并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。

公司遍布全球的2.4万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。公司期待在目前超过7500亿日元（68亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全球人类创造更加美好的未来。

东芝：80V N沟道功率MOSFET “U-MOS X-H系列”（照片：美国商业资讯）

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